Sammobile引述《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，三星設(shè)備解決方案部門主管Kye Hyun Kyung 4日稍早在三星半導(dǎo)體舉辦的課程中表示，三星的晶圓代工技術(shù)「目前落后臺(tái)積電」，旗下的4納米制程大約落后臺(tái)積電兩年 ，3納米制程則約落后一年。

　　不過(guò)，他強(qiáng)調(diào)，三星如今有優(yōu)勢(shì)，能在五年內(nèi)超越臺(tái)積電。

　　三星計(jì)劃從3納米開(kāi)始運(yùn)用環(huán)繞式柵極(GAA)制程，是該公司相信能在五年內(nèi)超越臺(tái)積電的關(guān)鍵。 相較之下，臺(tái)積電在2納米之前都不會(huì)采用GAA，三星相信公司能趁此機(jī)會(huì)趕上臺(tái)積電。

　　與臺(tái)積電目前采用的制程相較，GAA可讓三星芯片的體積更小(少45%)、耗電量更低(少50%)。 Kye Hyun Kyung說(shuō)，「客戶對(duì)三星3納米GAA制程的反應(yīng)不錯(cuò)。」

　　有趣的是，Kye Hyun Kyung還說(shuō)，三星相信內(nèi)存對(duì)AI服務(wù)器的重要性將超越英偉達(dá)繪圖處理器(GPU)。 他說(shuō)，三星將「確保以內(nèi)存為中心的超級(jí)計(jì)算機(jī)在2028年底前問(wèn)世。」

　　三星稱4納米良率逼近5納米

　　韓國(guó)媒體Pulse 5月3日?qǐng)?bào)道，三星最近在社群媒體發(fā)文指出，4納米制程良率快速改善、如今已接近5奈米的水平。 三星表示，「次世代4納米制程將提供更好的良率。」 業(yè)界人士說(shuō)，三星過(guò)去很少向大眾揭露芯片制程的良率細(xì)節(jié)。

　　三星今(2023)年的良率、產(chǎn)能出現(xiàn)明顯改善。 報(bào)導(dǎo)指出，業(yè)界人士透露，三星4納米制程良率如今已可媲美臺(tái)積電，也因而吸引客戶回流。 據(jù)傳，超威(AMD)、三星已敲定4納米合作協(xié)議，三星為Google Pixel 8智能機(jī)設(shè)計(jì)的Tensor 3處理器，也會(huì)采用自家的第三代4納米制程。