CTI論壇(ctiforum)3月16日消息（記者 李文杰): IBM于FlashSystem全快閃儲存產(chǎn)品線(xiàn)上，再添2款企業(yè)級儲存設備FlashSystem 900及FlashSystem V9000，兩款都基于IBM的FlashCore技術(shù)，并采用美光（Micron）的MLC快閃記憶體儲存晶片，相較于前一代，FlashSystem 900的可用容量增加4成，達57TB，讀取頻寬從每秒8GB提升至每秒10GB，而FlashSystem V9000的內部可用容量也從320TB增加至456TB。

　　IBM看好快閃記憶體市場(chǎng)趨勢，將火力集中快閃技術(shù)，去年才先后推出了IBM FlashSystem 840及IBM FlashSystem V840這兩款全快閃儲存設備，沒(méi)想到不到一年的時(shí)間，就將產(chǎn)品升級，推出新款FlashSystem 900及FlashSystem V9000。IBM全球快閃記憶體策略及業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)部門(mén)經(jīng)理 Erik Eyberg近日來(lái)臺發(fā)表新產(chǎn)品，再次揭露IBM對快閃儲存的策略并展現其技術(shù)創(chuàng )新重點(diǎn)。

　　Erik Eyberg認為企業(yè)儲存市場(chǎng)正在面臨轉型，幾年前企業(yè)主要采用的是以伺服器為基準的儲存設備，像是IBM的Flash Adapter 90或是其他PCIe類(lèi)的儲存設備，借此來(lái)改善企業(yè)前1％的工作附載，不過(guò)這類(lèi)儲存設備在資料保護及擴充上比較復雜。

　　而現在市場(chǎng)已進(jìn)入Tier0層級的儲存應用，像是IBM去年推出的FlashSystem 840及這次推出的FlashSystem 900，這一代儲存設備能在不降低效能的同時(shí)，簡(jiǎn)化資料保護的復雜度，并提升擴充性，可應用于企業(yè)的前10％工作負載，讓企業(yè)IT用更簡(jiǎn)單的方式整合現有儲存設備及環(huán)境。

　　不僅如此，IBM認為快閃儲存市場(chǎng)還有更大成長(cháng)空間，企業(yè)將從Tier0進(jìn)入Tier1應用層級，而因應Tier1層級推出的儲存產(chǎn)品可以完全取代舊有儲存方式，可運用混合式工作附載達50％。因此，IBM加快腳步，先在去年下半年推出FlashSystem V840后，現在再將這款產(chǎn)品更新，發(fā)表FlashSystem V9000，要加速推動(dòng)市場(chǎng)轉換到全快閃儲存。IBM預計2年后，整個(gè)快閃市場(chǎng)規模將達70億，其中50億是企業(yè)將舊硬碟汰換成新儲存設備，20億則為采用全新快閃方案的市場(chǎng)規模。

　　Erik Eyberg表示，FlashSystem主要優(yōu)勢來(lái)自于FlashCore技術(shù)，雖然快閃記憶體晶片本身技術(shù)上并沒(méi)有太大差別，但IBM著(zhù)重在晶片的連結方式以及晶片上的加值設計，通過(guò)自家技術(shù)來(lái)增加晶片價(jià)值。Erik Eyberg也表示，雖然許多廠(chǎng)商也大力投資軟件定義儲存，要讓快閃晶片效能最佳化，不過(guò)IBM是少數同時(shí)專(zhuān)注在硬件及軟件兩個(gè)面向創(chuàng )新技術(shù)來(lái)加強快閃記憶體效能。

　　最新的兩款設備都基于IBM的FlashCore技術(shù)，并將前一代產(chǎn)品FlashSystem 840及FlashSystem V840所采用的eMLC換掉，改用MLC快閃記憶體儲存晶片。IBM與快閃記憶體廠(chǎng)商Micron合作，而Micron開(kāi)放晶片介面，讓IBM可以在晶片上做更多加值設計，再加上IBM過(guò)去的快閃儲存技術(shù)與經(jīng)驗，及2012并購的TSM的快閃技術(shù)，發(fā)展出FlashCore，Erik Eyberg表示，FlashCore技術(shù)與MicroLatency技術(shù)模組整合，可提供比固態(tài)硬碟還好的效能。

　　FlashSystem 900根據前一代FlashSystem 840所改良，加強密度設計，相較于前一代，FlashSystem 900的可用容量增加4成，達57TB，讀取頻寬從每秒8GB提升至每秒10GB。而FlashSystem V9000則是基于FlashSystem V840，與前代最大差異在于，V9000是個(gè)完全整合的系統，使用單一管理介面來(lái)管理控制器及儲存陣列。

　　FlashSystem V9000可依據客戶(hù)要求，提供不同部署模式，針對小型資料中心，提供基礎的6U規格部署，每秒讀寫(xiě)速度達63萬(wàn)IOPS，而在延遲時(shí)間上，新款儲存設備的延遲時(shí)間是200微秒，只有傳統儲存設備的5分之1，對于較大型的資料中心或是混和性的工作負載環(huán)境，可作橫向擴充（Scale-out），最多可擴充4個(gè)控制器，在資料縮減后提供超過(guò)2PB的容量，對于更大容量需求的企業(yè)，可增加快閃儲存架（Flash Storage Shelf），作縱向擴充（Scale-up）。另外一種常見(jiàn)的部署需求是，企業(yè)可能需要一個(gè)虛擬資料中心來(lái)作資料搬移，并將資料從現有的儲存設備中轉移，而這些現有儲存設備很可能是來(lái)自其他廠(chǎng)商的儲存設備。

　　此外，IBM為FlashSystem系列提供了Tier1應用層級的耐用性保證，包含這次推出的兩款新產(chǎn)品在內，提供MicroLatency效能、資料壓縮、7年技術(shù)支援等項目的保證，希望借此讓企業(yè)更有信心在Tier1層級應用上全面采用全快閃儲存。

　　FlashSystem 900根據前一代FlashSystem 840所改良，加強密度設計，相較于前一代，FlashSystem 900的可用容量增加4成，達57TB，讀取頻寬從每秒8GB提升至每秒10GB。

　　FlashSystem V9000則是基于FlashSystem V840，與前代最大差異在于，V9000是個(gè)完全整合的系統，使用單一管理介面來(lái)管理控制器及儲存陣列。