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三星已布局推進碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù) 已任命安森美半導(dǎo)體前董事洪錫俊擔任副總裁

2023-10-19 15:12:39   作者:   來源:IT之家   評論:0  點擊:


  根據(jù)報道,三星電子內(nèi)部組建了新的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體團隊,已經(jīng)任命安森美半導(dǎo)體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔任副總裁,負責監(jiān)管相關(guān)業(yè)務(wù)。

  洪錫俊是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家,在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經(jīng)驗,加入三星后,他負責領(lǐng)導(dǎo)這項工作。

  洪錫俊負責組建和帶領(lǐng)這支 SiC 商業(yè)化團隊,同時積極與韓國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和學(xué)術(shù)機構(gòu)合作進行市場和商業(yè)可行性研究。值得注意的是,三星在正式進軍 GaN(氮化鎵)業(yè)務(wù)前,也提前組建了相關(guān)業(yè)務(wù)團隊。

  三星電子已開始全面籌備 GaN 功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。三星決定購買 Aixtron 最新的 MOCVD 設(shè)備,專門用于加工 GaN 和 SiC 晶圓,這凸顯了三星對此努力的承諾,這筆投資預(yù)計至少為 700-8000 億韓元。

  盡管三星的第三代半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)預(yù)計將于 2025 年啟動,但目前仍處于研究和樣品階段,現(xiàn)在需要大量投資設(shè)備以支持未來的量產(chǎn)工作。

  根據(jù) TrendForce 的分析,預(yù)計 2023 年全球 SiC 功率器件市場規(guī)模將達到 22.8 億美元(當前約 166.9 億元人民幣),同比增長 41.4%。預(yù)計到 2026 年將擴大到 53.3 億美元(當前約 390.16 億元人民幣)。

  根據(jù) TrendForce 的最新研究,預(yù)計到 2024 年,三星 8 英寸晶圓制造工廠的利用率可能會下降至 50%。這一下降主要是由于全球半導(dǎo)體需求減少,再加上地緣政治因素,嚴峻的商業(yè)環(huán)境影響了三星的訂單量。

  隨著 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體的需求持續(xù)上升,以及三星硅晶圓業(yè)務(wù)面臨挑戰(zhàn),該公司與 DB Hitek 和 Key Foundry 等競爭對手一起,正準備推出 8 英寸 GaN 代工服務(wù)。這一戰(zhàn)略舉措預(yù)計將在 2025 年至 2026 年間實現(xiàn)。

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