英特爾中國總裁王瑞在一次活動中表示，該公司已經確定了兩項技術的所有規(guī)格、材料、要求和性能目標，但這并不意味著生產節(jié)點已準備好用于商業(yè)制造。

　　英特爾的20A制造工藝將依賴于全門控環(huán)繞RibbonFET晶體管，并采用背面供電。同時縮小金屬間距、引入全新的晶體管結構和背面供電是一項高風險的舉措，但預計20A將使英特爾超越競爭對手——TSMC和三星。英特爾計劃在2024年上半年開始使用這個節(jié)點。

　　英特爾的18A制造工藝將進一步完善公司的RibbonFET和PowerVia技術，并縮小晶體管尺寸。該節(jié)點的開發(fā)進展順利，以至于英特爾將其推出時間從2025年提前到2024年下半年。英特爾最初計劃在其1.8埃節(jié)點上使用ASML的Twinscan EXE掃描儀，數(shù)值孔徑（NA）光學為0.55，但由于決定盡早使用該技術，它將不得不廣泛使用現(xiàn)有的Twinscan NXE掃描儀，光學NA為0.33，以及EUV雙重圖案。

　　該公司預計，當其1.8納米級制造技術在2024年下半年進入高產量制造時，它將成為行業(yè)最先進的節(jié)點。

　　Intel的20A和18A制造工藝既為公司自身產品的生產開發(fā)，也將用于Intel Foundry Services (IFS)事業(yè)部為其代工客戶生產芯片。

　　Intel的首席執(zhí)行官Pat Gelsinger在最近與分析師和投資者的電話會議上表示：“我們與10大代工客戶中的七家保持著積極的合作關系，并持續(xù)擴大合作伙伴生態(tài)系統(tǒng)的增長，目前已經有43個潛在客戶和生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴進行測試芯片。”此外，我們在Intel 18A方面仍在取得進展，已經與我們的主要客戶分享了PDK 0.5（工藝設計工具包）的工程版本，并預計在未來幾周內發(fā)布最終生產版本。”