臺積電于6月6日舉行年度股東會，致股東報告書表示，臺積電2022年全年的研發(fā)費用達54.7億美元，用以擴大技術領先和差異化優(yōu)勢。其中5納米技術已是量產的第三年，為臺積電營收貢獻26%。N4也于2022年開始量產，且推出了N4P和N4X制程技術。N4P預計于2023年量產。

　　臺積電報告中顯示，N3技術于2022年量產，N3E預計于2023年下半年量產，預期N3家族將成為臺積電另一個大規(guī)模且有長期需求的制程技術。據悉，N4X是臺積電第一個專注于高效能計算(HPC)的技術，預計于2023年進行客戶產品設計定案。

　　臺積電指出，2納米技術將采用納米片(Nanosheet)電晶體結構，此前架構為鰭式場效晶體管(FinFET)。相較于N3E，N2在相同功耗下速度增快10%-15%，或在相同速度下功耗降低25%-30%，以滿足日益增加的節(jié)能計算需求。

　　臺積電表示，公司也在不斷擴展臺積公司3DFabricTM設計解決方案，以提升系統(tǒng)級性能至新境界。臺積電3DFabricTM結合了晶圓級3D和先進封裝技術。在3D技術方面，芯片堆疊(Chip on Wafer，CoW)技術成功于2022年量產，通過將靜態(tài)隨機存取芯片(Static Random Access Memory，SRAM) ) 堆疊于邏輯晶圓上展現(xiàn)顯著的性能優(yōu)化。