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供應(yīng)鏈消息稱(chēng)臺(tái)積電2nm工藝布局如期推進(jìn)2025年下半年在新竹市寶山鄉(xiāng)進(jìn)入量產(chǎn)

2023-04-08 21:13:16   作者:   來(lái)源:IT之家   評(píng)論:0  點(diǎn)擊:


  4 月 8 日消息報(bào)道,根據(jù)供應(yīng)鏈消息,臺(tái)積電將如期在 2025 年上線 2nm 生產(chǎn)工藝。消息還表示臺(tái)積電計(jì)劃在 2026 年推出 N2P 工藝。

  供應(yīng)鏈消息稱(chēng)臺(tái)積電的 2nm 工藝布局如期推進(jìn),2025 年下半年在新竹市寶山鄉(xiāng)進(jìn)入量產(chǎn)。在 2nm 工藝量產(chǎn) 1 年之后,臺(tái)積電將推出采用背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)技術(shù)的 N2P 工藝。

  2nm 芯片是臺(tái)積電的一個(gè)重大節(jié)點(diǎn),該工藝將會(huì)采用納米片晶體管(Nanosheet),取代鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET),這意味著臺(tái)積電工藝正式進(jìn)入 GAA 晶體管時(shí)代。其中,2nm 芯片相較于 3nm 芯片,在相同功耗下,速度快 10~15%。在相同速度下,功耗降低 25~30%。

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